據(jù)悉，知名半導體存儲品牌企業(yè)江波龍已與頭部客戶聯(lián)合開展SOCAMM開發(fā)工作，相關(guān)產(chǎn)品已成功點亮。從客戶點亮的時間節(jié)點回溯，充分表明江波龍在下一代服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)儲備與市場布局早已悄然展開。這款名為SOCAMM的創(chuàng)新產(chǎn)品，正以其性能躍遷、靈活部署、能效革新三大突破，重新定義AI時代的服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)，并成為支撐NVIDIA Grace Blackwell等頂級平臺的關(guān)鍵力量。
性能躍升，突破AI算力瓶頸
SOCAMM的核心突破在于其顛覆性的性能表現(xiàn)：
帶寬飛躍：采用先進LPDDR5X技術(shù)，提供128位I/O位寬，同等容量下帶寬高達傳統(tǒng)DDR5 RDIMM的2.5倍以上，徹底打通了AI訓練與推理中的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸。
延遲銳減：通過創(chuàng)新性地集成存儲控制器與內(nèi)存單元，顯著縮短數(shù)據(jù)路徑，延遲降低約20%，為實時性要求極高的數(shù)據(jù)處理場景提供關(guān)鍵支撐。
能效革新：得益于LPDDR5X的低電壓特性（1.1V），功耗僅為標準DDR5 RDIMM的三分之一，大幅降低數(shù)據(jù)中心能耗，為液冷系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計開辟新空間。
創(chuàng)新設(shè)計，重塑內(nèi)存新形態(tài)
SOCAMM的領(lǐng)先性深植于其底層技術(shù)創(chuàng)新：
模塊化緊湊設(shè)計：僅14×90mm的尺寸（標準RDIMM的三分之一）支持高密度部署。獨特的“長方形模塊+螺絲固定”設(shè)計，使其更靠近CPU布局，優(yōu)化散熱路徑，同時支持內(nèi)存模塊的便捷更換與升級，顯著提升系統(tǒng)靈活性與可維護性。
4-N-4 HDI疊構(gòu)突破：內(nèi)存模塊PCB首創(chuàng)4-N-4 HDI疊構(gòu)技術(shù)，孔密度提升超10倍。這一高難度設(shè)計突破，為SOCAMM的8×16bit多通道架構(gòu)提供了堅實的物理基礎(chǔ)，結(jié)合近CPU布局，很好地解決了傳統(tǒng)RDIMM在帶寬、延遲和高溫上的痛點，確保信號完整性與極致性能釋放。
多場景賦能，驅(qū)動AI產(chǎn)業(yè)升級
SOCAMM的卓越特性使其在多個關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大價值：
AI服務(wù)器： 作為CPU側(cè)高性價比擴展方案，SOCAMM通過Nvlink-C2C直連CPU，提供大容量（單模塊達128GB）、中等帶寬存儲空間，與HBM形成完美互補。其強化學習動態(tài)調(diào)度算法持續(xù)優(yōu)化訓練/推理性能，釋放更多AI潛能。
綠色數(shù)據(jù)中心：極致能效（功耗僅DDR5 RDIMM的1/3）與高帶寬特性，結(jié)合液冷技術(shù)，助力數(shù)據(jù)中心PUE（能效比）優(yōu)化，響應(yīng)全球節(jié)能減排趨勢。
邊緣計算： 在智能駕駛、工業(yè)邊緣等場景，SOCAMM的小尺寸、大容量、超低功耗（降低超75%）及獨立支撐本地AI推理能力至關(guān)重要。其模塊化設(shè)計支持現(xiàn)場快速更換，大幅降低邊緣復雜環(huán)境的運維成本。
重塑市場格局，未來增長可期
隨著AI服務(wù)器能耗激增，SOCAMM的LPDDR5X基礎(chǔ)帶來的功耗優(yōu)勢（同容量僅1/3）、速率優(yōu)勢（性能提升33%）以及支持更高通道數(shù)的連接形態(tài)，使其在高速率、高信號完整性要求的未來競爭中占據(jù)制高點。
關(guān)鍵指標
SOCAMM
DDR5 RDIMM
提升/優(yōu)勢
存儲介質(zhì)/電壓
LPDDR5X / 1.05V
DDR5 / 1.1V
功耗基礎(chǔ)更低
容量
Up to 256GB
Up to 128GB
提升100%
性能(速率)
8533Mbps
6400Mbps
提升約33%
尺寸
90mm×14mm
133.35×31.25mm
減小約70%
部署密度
極高
受限
優(yōu)化空間利用
今年，產(chǎn)業(yè)巨頭們已聞風而動，美光正為英偉達GB200/NVL平臺量產(chǎn)SOCAMM；三星、SK海力士紛紛加入戰(zhàn)局；戴爾、聯(lián)想等ODM廠商已啟動基于SOCAMM的服務(wù)器生產(chǎn)。憑借僅為HBM 1/4的成本優(yōu)勢，SOCAMM在AI推理與邊緣計算領(lǐng)域的性價比定位異常清晰。據(jù)規(guī)劃，2025年僅美光產(chǎn)能即達80萬模塊，2026年三星/SK海力士將全面量產(chǎn)，第二代SOCAMM更將帶寬推至驚人的400GB/s。
從江波龍與客戶合作點亮SOCAMM產(chǎn)品的時間線可見，其在該領(lǐng)域的深耕布局已結(jié)出碩果。這款融合了極致性能、革命性能效與靈活部署優(yōu)勢的內(nèi)存解決方案，正迅速成為驅(qū)動AI算力平臺的核心引擎。隨著全球產(chǎn)業(yè)鏈的加速響應(yīng)、產(chǎn)能的快速爬坡以及第二代技術(shù)的持續(xù)演進，SOCAMM所代表的高效能、大帶寬內(nèi)存新范式，不僅將滿足AI算力爆發(fā)式增長對內(nèi)存架構(gòu)的嚴苛要求，更將在未來3-5年撬動一個潛力巨大的增量市場。
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